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武汉新芯定位存储器制造两年后或推3DNAND

发布时间:2020-07-21 18:06:30 阅读: 来源:岩棉板厂家

武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起独立经营,是国有制企业。为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等,XMC将立足存储器制造。近日,武汉新芯董事长王继增告诉笔者。

本文引用地址: Flash制造领先

这是由于武汉新芯的最大客户来自于NOR闪存。XMC成立之初,曾委托SMIC进行经营管理,当时XMC就开始为Spansion代工NOR闪存。目前NOR有两大技术体系,一类是ETOX,是Floating-Gate(浮栅)技术;另外是与Spansion合作的MirrorBit技术。XMC已经成功的大规模量产了90、65和45nm的NOR Flash产品,目前正在进行32nm工艺技术的研发,今年8月底关键设备浸没式光刻机已经到位,预计2015年底实现大规模量产。

XMC拥有全球最领先的NOR Flash制造技术和研发储备。2010年,全球第一款基于65nm,4Gb NOR Flash芯片在XMC大规模量产;2012年,XMC成为全球首家成功研发45nm NOR Flash的公司;2013年,XMC全球首发45nm,8Gb NOR Flash产品;XMC是全球唯一一家正在研发32nm NOR Flash的公司。

然而,NOR整体的市场容量有限,全球年销售收入仅为30多亿美元的。尤其是在高容量的NOR Flash方面,其市场受到低容量NAND Flash的侵蚀。目前XMC月产能规模维持在1.2万片12寸晶圆。

3D NAND是切入点

因此,武汉新芯又把眼光落到了闪存的另一重大分支——NAND Flash上,尤其是3D NAND。“目前2D NAND Flash已经进入1Xnm时代,几近于其物理极限,微缩的成本和工艺难度都急剧上升。据市场预测,从2016年起,2D NAND将会被迅速取代,3D NAND快速增长。”王继增预计。目前三星刚推出样品,估计2014年量产,2015年年底大批量投产。“我们预计用两年多时间做出来3D产品。”

之所以选择3D NAND,首先当前全球NAND闪存将近400亿美元规模,国内的用量超过全球总用量的50%,市场非常可观。另外,3D是一个完全不同的技术方向,相对于2D NAND对微缩技术的要求,3D NAND的关键技术是极度复杂的刻蚀和薄膜工艺。因此,用于45nm工艺的浸没式光刻机即可满足3D的微缩工艺要求,45nm工艺是XMC成熟的工艺。再有,美光和SK海力士也是刚刚开始研究该技术,大家站在同一起跑线上。

欲成为ISM(集成的次系统组件制造商)

受到IDM(集成器件制造商)商业模式的启发,武汉新芯提出了一个新概念——ISM(集成的次系统组件制造商),主要是采用新的商业模式,推动国内3D NAND产业的发展。考虑到国内的封装和测试业相对成熟,XMC的主要精力仅放在3D NAND 产品的设计、制造与次系统组件产品(SSD, eMMC,eMCP)应用方面,不再投资封装和测试领域。

为何现在不做DRAM?

王继增解释道,DRAM过去依靠PC来推动其发展,但是,随着移动装置的迅速发展,PC市场已经出现了萎缩的苗头。Mobile DRAM是当下的发展热点。不同于NAND Flash正处于一个从2D向3D过渡的转折时期,DRAM技术的发展依然靠传统的微缩技术,在此方面,美光、三星等SK海力士等已经占据了市场的主导地位,形成了很高的技术和市场壁垒。所以,目前XMC不会切入DRAM市场。

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